IPB038N12N3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB038N12N3GATMA1 por Infineon y BSC027N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB038N12N3GATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,78 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 120V OptiMOS 3
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 120 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 300 W —
On-State Resistance (Rds(on)) 3.8 mOhm (typical) —
Encapsulado / Carcasa PG-TO263-3 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench)
Gate Drive Logic-level compatible —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55°C to +150°C
Standard Package Quantity 1000 (Tape & Reel) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Disipación de potencia (TC=25°C) — 83 W
Encapsulado — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Nivel MSL — 1
Sin halógenos — Yes

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