IPB051N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB051N15NM6ATMA1 von Infineon und ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB051N15NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,02 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 139 A —
RDS(on) Typical at VGS=10 V 5.1 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typical 51 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 234 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Drain, Source, Gate) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
Gehäuse — PG-TDSON-8 FL
Anzahl der Pins — 8
Channel Mode — Enhancement
Betriebstemperatur — -55 °C to +175 °C

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