IPB051N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB051N15NM6ATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB051N15NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,02 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 139 A | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | 5.1 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 51 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 234 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier / Format | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain, Source, Gate) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8 FL |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |