IPB051N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB051N15NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISC151N08NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IPB051N15NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.02 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 139 A | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | 5.1 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 51 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 234 W | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | — |
| パッケージ / ケース | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (Drain, Source, Gate) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| 連続ドレイン電流（TC=25°C） | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8 FL |
| ピン数 | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| 動作温度 | — | -55 °C to +175 °C |