IPB051N15NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB051N15NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,02 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 139 A | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | 5.1 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 51 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 234 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (Drain, Source, Gate) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Encapsulamento | — | PG-TDSON-8 FL |
| Número de pinos | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Temperatura de operação | — | -55 °C to +175 °C |