IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB100N12S305ATMA1 von Infineon und IPB60R280P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB100N12S305ATMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,25 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power MOSFET CoolMOS P7 (600 V)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) 100 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 4.8 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 185 nC —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Gehäuse — PG-TO263-3 (D2PAK)
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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