IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB100N12S305ATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R280P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ 生産中
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IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB100N12S305ATMA1 IPB60R280P7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.25 $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power MOSFET CoolMOS P7 (600 V)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) 100 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 4.8 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 185 nC —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
パッケージ / ケース PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
湿気感度レベル(MSL) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
パッケージ — PG-TO263-3 (D2PAK)
ピン数 — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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