IPB100N12S305ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB100N12S305ATMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB100N12S305ATMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,25 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS Power MOSFET CoolMOS P7 (600 V)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) 100 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 4.8 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) 185 nC —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Boîtier / Format PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Boîtier — PG-TO263-3 (D2PAK)
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fiches techniques et ressources

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