IPB107N20N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB107N20N3GATMA1 von Infineon und IPB020NE7N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB107N20N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 120 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern