IPB107N20N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB107N20N3GATMA1 por Infineon e IPB020NE7N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB107N20N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 120 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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