IPB107N20N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB107N20N3GATMA1 par Infineon et IPB020NE7N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB107N20N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A 120 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Polarity — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Fiches techniques et ressources

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