IPB110P06LMATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB110P06LMATMA1 von Infineon und IPB039N10N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB110P06LMATMA1 IPB039N10N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,31 $2,28
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 160 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (TJ) -55C to +175C
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
Gehäuse — PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
MSL-Level — 1
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

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