IPB110P06LMATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB110P06LMATMA1 por Infineon e IPB039N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB110P06LMATMA1 IPB039N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,31 $2,28
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 160 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (TJ) -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
Encapsulamento — PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
Nível MSL — 1
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

Fichas técnicas e recursos

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