IPB110P06LMATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB110P06LMATMA1 par Infineon et IPB039N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB110P06LMATMA1 IPB039N10N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,31 $2,28
FET Type P-Channel N-Channel
Technology OptiMOS (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 160 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) -55C to +175C
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
Boîtier — PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
Niveau MSL — 1
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

Fiches techniques et ressources

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