IPB110P06LMATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB110P06LMATMA1 von Infineon und IPB100N04S4H2ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB110P06LMATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,31 $1,42
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (TJ) —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Gehäuse — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
MSL-Level — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

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