IPB110P06LMATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB110P06LMATMA1 par Infineon et IPB100N04S4H2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB110P06LMATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,31 $1,42
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Boîtier — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Niveau MSL — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Fiches techniques et ressources

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