IPB110P06LMATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB110P06LMATMA1 por Infineon e IPB100N04S4H2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB110P06LMATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,31 $1,42
FET Type P-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (TJ) —
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Encapsulamento — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Nível MSL — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Fichas técnicas e recursos

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