IPB110P06LMATMA1 vs IPB45N06S4L08ATMA3 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB110P06LMATMA1 von Infineon und IPB45N06S4L08ATMA3 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB110P06LMATMA1 IPB45N06S4L08ATMA3
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,31 $0,39
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (TJ) —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 45 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.9 mOhm
Power Dissipation (TC=25C) — 71 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V)
Gehäuse — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
Halogenfrei — Yes
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: reverse recovery charge]
Thermal Resistance RthJC max — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]

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