IPB110P06LMATMA1 vs IPB45N06S4L08ATMA3 比較

詳細な並列比較: IPB110P06LMATMA1 メーカー: Infineon および IPB45N06S4L08ATMA3 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB110P06LMATMA1 IPB45N06S4L08ATMA3
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.31 $0.39
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (TJ) —
パッケージ / ケース PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 45 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.9 mOhm
Power Dissipation (TC=25C) — 71 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V)
パッケージ — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
ハロゲンフリー — Yes
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: reverse recovery charge]
Thermal Resistance RthJC max — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]

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