IPB110P06LMATMA1 vs IPB45N06S4L08ATMA3 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB110P06LMATMA1 제조: Infineon 및 IPB45N06S4L08ATMA3 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB110P06LMATMA1 IPB45N06S4L08ATMA3
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.31 $0.39
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (TJ) —
패키지 / 케이스 PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 45 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.9 mOhm
Power Dissipation (TC=25C) — 71 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V)
패키지 — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
MSL Moisture Sensitivity — MSL1 (260C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
할로겐 프리 — Yes
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: reverse recovery charge]
Thermal Resistance RthJC max — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]

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