IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon und IPB180P04P4L02ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB120P04P4L03ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $1,85
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) 7 (6 + tab)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
Transistortyp — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Tab Connection — Drain

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