IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon et IPB180P04P4L02ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB120P04P4L03ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $1,85
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) 7 (6 + tab)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
Type de transistor — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Tab Connection — Drain

Fiches techniques et ressources

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