IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPB120P04P4L03ATMA2 メーカー: Infineon および IPB180P04P4L02ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB120P04P4L03ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.74 $1.85
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) 7 (6 + tab)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
トランジスタタイプ — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
動作温度範囲 — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Tab Connection — Drain

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