IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon e IPB180P04P4L02ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB120P04P4L03ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $1,85
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 7 (6 + tab)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Tab Connection — Drain

Fichas técnicas e recursos

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