IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB200N25N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon und IPB200N25N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB120P04P4L03ATMA2 IPB200N25N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $1,65
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2+tab)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant (per Infineon product page) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
Halogenfrei — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)

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