IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB200N25N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPB120P04P4L03ATMA2 par Infineon et IPB200N25N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPB120P04P4L03ATMA2 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,74 | $1,65 |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2+tab) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |