IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB200N25N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon e IPB200N25N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB120P04P4L03ATMA2 IPB200N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $1,65
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2+tab)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Livre de halogênio — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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