IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon und IPB70N10S3L12ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB120P04P4L03ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $1,65
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Transistortyp — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Gehäuse / Bauform — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Halogenfrei — Yes

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