IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon y IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB120P04P4L03ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $1,65
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Sin halógenos — Yes

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