IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB35N10S3L26ATMA1 von Infineon und IPD5N25S3430ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB35N10S3L26ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Gehäuse — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern