IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon e IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB35N10S3L26ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,15 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

Fichas técnicas e recursos

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