IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB70N10S3L12ATMA1 von Infineon und IPD90P04P4L04ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $1,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistortyp N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse / Bauform PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Halogenfrei Yes —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
Gehäuse — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Anzahl der Pins — 3 (2 + Tab)
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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