IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P4L04ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB70N10S3L12ATMA1 par Infineon et IPD90P04P4L04ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $1,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier / Format PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Sans halogène Yes —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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