IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P4L04ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB70N10S3L12ATMA1 제조: Infineon 및 IPD90P04P4L04ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.65 $1.22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 / 케이스 PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
할로겐 프리 Yes —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
동작 온도 범위 — -55 C to +175 C
패키지 — PG-TO252-3-313 (DPAK)
핀 수 — 3 (2 + Tab)
RoHS 상태 — Compliant
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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