IPD046N08N5ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD046N08N5ATMA1 von Infineon und IPD90N04S403ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD046N08N5ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
RoHS-Status ROHS3 Compliant —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gehäuse — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

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