IPD046N08N5ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD046N08N5ATMA1 por Infineon e IPD90N04S403ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD046N08N5ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Status RoHS ROHS3 Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Encapsulamento — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

Fichas técnicas e recursos

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