IPD046N08N5ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD046N08N5ATMA1 par Infineon et IPD90N04S403ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD046N08N5ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier / Format PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Statut RoHS ROHS3 Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Boîtier — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

Fiches techniques et ressources

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