IPD046N08N5ATMA1 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD046N08N5ATMA1 por Infineon y IPD90N04S403ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD046N08N5ATMA1 IPD90N04S403ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Estado RoHS ROHS3 Compliant —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (peak reflow up to 260C)
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) —
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Encapsulado — PG-TO252-3-313 (DPAK)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

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