IPD135N03LGATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD135N03LGATMA1 von Infineon und BSC016N06NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD135N03LGATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
Gehäuse / Bauform PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) -55 °C to +150 °C
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Gehäuse — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Gate Drive (recommended) — 10 V
Technology — OptiMOS™ 5

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