IPD135N03LGATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD135N03LGATMA1 por Infineon e BSC016N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD135N03LGATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
Encapsulamento / Caixa PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) -55 °C to +150 °C
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Encapsulamento — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Gate Drive (recommended) — 10 V
Technology — OptiMOS™ 5

Fichas técnicas e recursos

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