IPD30N08S2L21ATMA1 vs IPB180P04P4L02ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD30N08S2L21ATMA1 von Infineon und IPB180P04P4L02ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD30N08S2L21ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,85
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS OptiMOS-P2
Transistortyp N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V 26 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (L series) —
Gate Charge (Qg) typ 56 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 C to +175 C (junction)
Maximum Junction Temperature +175C —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Drain tab + Gate + Source) 7 (6 + tab)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant (per Infineon product page)
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Tab Connection — Drain

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