IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N10S3L16ATMA1 von Infineon und IPD50N10S3L16ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

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