IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD50N10S3L16ATMA1 от Infineon и IPD50N10S3L16ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,89 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Корпус PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +175C -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Статус RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Число выводов — 3 (2 + Tab)
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену