IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N10S3L16ATMA1 par Infineon et IPD50N10S3L16ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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