IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N10S3L16ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon y IPD50N10S3L16ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD50N10S3L16ATMA1 —
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 200 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.5 V (typ) —
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) 100 W —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 °C to +175 °C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Maximum R_DS(on) at VGS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 100 W
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Delivery Form — Tape and Reel (T&R)

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