IPD50R399CPATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50R399CPATMA1 von Infineon und IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50R399CPATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CP CoolMOS CFD7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 500 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 9 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 83 W —
On-Resistance (R_DS(on), typ) 0.399 ohm —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS CP (superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Configuration Single —
Operating Mode Enhancement-mode —
Datasheet Series IPD50R399CP —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Verlustleistung (TC=25°C) — 227 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datenblätter & Ressourcen

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