IPD50R399CPATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50R399CPATMA1 por Infineon e IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50R399CPATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CP CoolMOS CFD7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 500 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 9 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 83 W —
On-Resistance (R_DS(on), typ) 0.399 ohm —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS CP (superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Configuration Single —
Operating Mode Enhancement-mode —
Datasheet Series IPD50R399CP —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Dissipação de potência (TC=25°C) — 227 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Fichas técnicas e recursos

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