IPD50R399CPATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD50R399CPATMA1 par Infineon et IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD50R399CPATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $5,19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CP CoolMOS CFD7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 500 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 9 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 83 W —
On-Resistance (R_DS(on), typ) 0.399 ohm —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS CP (superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Configuration Single —
Operating Mode Enhancement-mode —
Datasheet Series IPD50R399CP —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 227 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Fiches techniques et ressources

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