IPD60N10S412ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD60N10S412ATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD60N10S412ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) —
RoHS-Status Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Halogenfrei Yes (per Infineon definition) —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern