IPD60N10S412ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 比較
詳細な並列比較: IPD60N10S412ATMA1 メーカー: Infineon および BSC019N04LSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPD60N10S412ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.82 | $1.21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| 動作接合温度 | -55 C to +175 C | — |
| パッケージ | PG-TO252-3-313 (DPAK) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (2 + Tab) | — |
| MSLレベル | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| RoHS ステータス | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| ハロゲンフリー | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| 動作温度範囲 | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |